Core Energy Semiconductor nënshkroi një marrëveshje bashkëpunimi për projektin me qeverinë komunale Hefei

Në maj 2023, Core Energy Semiconductor nënshkroi një marrëveshje bashkëpunimi për projektin me Qeverinë Komunale Hefei dhe planifikon të ndërtojë 10 linja prodhimi të automatizuara IGBT dhe 5 SiC MOS në Zonën e Zhvillimit Ekonomik dhe Teknologjik Hefei Anchao.