Core Energy Semiconductor menandatangani perjanjian kerja sama proyek dengan Pemerintah Kota Hefei

84
Pada Mei 2023, Core Energy Semiconductor menandatangani perjanjian kerja sama proyek dengan Pemerintah Kota Hefei, dan berencana membangun 10 jalur produksi otomatis IGBT dan 5 SiC MOS di Zona Pengembangan Ekonomi dan Teknologi Hefei Anchao.