Teras Tenaga Semikonduktor menandatangani perjanjian kerjasama projek dengan Kerajaan Perbandaran Hefei
IGBT
sama
Semi
SiC MOS
Pembangunan Ekonomi
Teknologi
Hefei
data
Perbandaran
mati
SiC
2023
Pembangunan
sama
projek
2024-12-23 20:08
84
Pada Mei 2023, Core Energy Semiconductor menandatangani perjanjian kerjasama projek dengan Kerajaan Perbandaran Hefei, dan merancang untuk membina 10 IGBT dan 5 barisan pengeluaran automatik SiC MOS di Zon Pembangunan Ekonomi dan Teknologi Hefei Anchao.
