Core Energy Semiconductor បានចុះហត្ថលេខាលើកិច្ចព្រមព្រៀងសហប្រតិបត្តិការគម្រោងជាមួយរដ្ឋាភិបាលក្រុង Hefei

នៅខែឧសភា ឆ្នាំ 2023 ក្រុមហ៊ុន Core Energy Semiconductor បានចុះហត្ថលេខាលើកិច្ចព្រមព្រៀងសហប្រតិបត្តិការគម្រោងជាមួយរដ្ឋាភិបាលក្រុង Hefei ហើយគ្រោងនឹងសាងសង់បណ្តាញផលិតកម្មស្វ័យប្រវត្តិ IGBT ចំនួន 10 និង SiC MOS ចំនួន 5 នៅក្នុងតំបន់អភិវឌ្ឍន៍សេដ្ឋកិច្ច និងបច្ចេកវិទ្យា Hefei Anchao ។