Core Energy Semiconductor قرارداد همکاری پروژه ای را با دولت شهرداری Hefei امضا کرد
با
IGBT
و
ماه
ناور
SiC MOS
خود
خط تولید
اقتصادی
توسعه اقتصادی
کر
منطق
پرو
فن
قرارداد
خط تولید
شهرداری
SiC
2023
توسعه
مک
او
قرارداد
قرارداد
پروژه
خودکار
2024-12-23 20:08
84
در ماه مه 2023، Core Energy Semiconductor قرارداد همکاری پروژه ای را با دولت شهرداری Hefei امضا کرد و قصد دارد 10 خط تولید خودکار IGBT و 5 SiC MOS را در منطقه توسعه اقتصادی و فناوری Hefei Anchao بسازد.
