Core Energy Semiconductor-მა ხელი მოაწერა პროექტის თანამშრომლობის ხელშეკრულებას ჰეფეის მუნიციპალურ მთავრობასთან
Qt ჯგუფი
ობი ჟონგუანგი
რა
თან
რომ
IGBT
და
რა
შენ
პრო
SiC MOS
საწარმოო ხაზი
ი
ჰეფეი
საწარმოო ხაზი
SiC
პროექტი
2024-12-23 20:08
84
2023 წლის მაისში, Xineng Semiconductor-მა ხელი მოაწერა პროექტის თანამშრომლობის ხელშეკრულებას ჰეფეის მუნიციპალურ მთავრობასთან, რომელიც გეგმავს 10 IGBT და 5 SiC MOS ავტომატიზირებული საწარმოო ხაზის აშენებას ჰეფეი ანჩაოს ეკონომიკური და ტექნოლოგიური განვითარების ზონაში.
