Чакаецца, што праект упакоўкі і тэсціравання асноўнага паўправадніковага модуля будзе мець гадавы прыбытак каля 1,5 мільярда юаняў пасля выхаду на вытворчасць.

Пасля завяршэння праекта ўпакоўкі і тэсціравання асноўных паўправадніковых модуляў чакаецца дасягненне гадавой вытворчасці 4,8 мільёна модуляў IGBT і 600 000 модуляў SiC MOS з гадавым прыбыткам прыкладна ў 1,5 мільярда юаняў.