Очікується, що проект упаковки та тестування основного напівпровідникового модуля матиме річний дохід приблизно в 1,5 мільярда юанів після досягнення виробництва.

66
Після завершення проекту упаковки та тестування основного напівпровідникового модуля очікується досягнення річного обсягу виробництва 4,8 мільйона модулів IGBT і 600 000 модулів SiC MOS з річним доходом приблизно 1,5 мільярда юанів.