Die zweite Phase des Fujian Jingxu Semiconductor Technology-Projekts ist vollständig abgeschlossen und wird voraussichtlich bis Ende des Jahres über Bedingungen für die Gerätesimulation verfügen

Die zweite Phase des Projekts von Fujian Jingxu Semiconductor Technology Co., Ltd. ist vollständig abgeschlossen und interne Dekorationsarbeiten sind derzeit im Gange. Ziel ist es, noch vor Jahresende die Bedingungen für die Gerätesimulation zu erreichen. Bei diesem Projekt geht es um die Produktion von Hochfrequenz-Filterchips auf Basis des neuen Materials der piezoelektrischen Galliumoxidfolie. Der Bau wird im Dezember 2023 beginnen, mit einer Gesamtinvestition von 1,68 Milliarden Yuan und einer Fläche von 136 Acres. Nach Abschluss des Projekts wird es die weltweit erste Produktionslinie für Halbleiter-Hochfrequenzfilterchips mit ultrabreiter Bandlücke sein, mit einer geschätzten Jahresproduktion von 400.000 und einem Produktionswert von etwa 1 Milliarde Yuan. Dies wird eine Lücke im heimischen Bereich der neuen Materialien für piezoelektrische Galliumoxidfilme schließen und einen wichtigen Einfluss auf die Entwicklung der neuen Materialindustrie im Kreis Shanghang haben.