A segunda fase do projeto Fujian Jingxu Semiconductor Technology foi totalmente limitada e deverá ter condições de simulação de equipamentos até o final do ano

A segunda fase do projeto da Fujian Jingxu Semiconductor Technology Co., Ltd. foi totalmente concluída e os trabalhos de decoração interna estão em andamento. O objetivo é atingir as condições de simulação dos equipamentos antes do final do ano. Este projeto trata da produção de chips de filtro de alta frequência baseados no novo material de filme piezoelétrico de óxido de gálio. A construção terá início em dezembro de 2023, com um investimento total de 1,68 bilhão de yuans e uma área de 136 acres. Depois que o projeto for concluído, ela se tornará a primeira linha de produção de chips de filtro de alta frequência de semicondutores de bandgap ultralargo do mundo, com uma produção anual estimada de 400kk e um valor de produção de aproximadamente 1 bilhão de yuans. Isto preencherá uma lacuna no campo nacional de novos materiais para filmes piezoelétricos de óxido de gálio e terá um impacto importante no desenvolvimento da indústria de novos materiais no condado de Shanghang.