De tweede fase van het Fujian Jingxu Semiconductor Technology-project is volledig afgedekt en zal naar verwachting tegen het einde van het jaar apparatuursimulatievoorwaarden hebben

De tweede fase van het project van Fujian Jingxu Semiconductor Technology Co., Ltd. is volledig afgesloten en er wordt momenteel aan de interne decoratie gewerkt. Het doel is om vóór het einde van het jaar de omstandigheden voor apparatuursimulatie te bereiken. Dit project gaat over de productie van hoogfrequente filterchips op basis van het nieuwe materiaal galliumoxide-piëzo-elektrische film. De bouw begint in december 2023, met een totale investering van 1,68 miljard yuan en een oppervlakte van 136 hectare. Nadat het project is voltooid, zal het 's werelds eerste halfgeleider-hoogfrequente filterchipproductielijn met ultrabrede bandafstand worden, met een geschatte jaarlijkse productie van 400 kk en een outputwaarde van ongeveer 1 miljard yuan. Dit zal een leemte opvullen op het binnenlandse gebied van nieuwe materialen voor piëzo-elektrische galliumoxidefilms en een belangrijke impact hebben op de ontwikkeling van de nieuwe materialenindustrie in Shanghang County.