La segunda fase del proyecto Fujian Jingxu Semiconductor Technology ha finalizado por completo y se espera que tenga condiciones de simulación de equipos para fin de año.

La segunda fase del proyecto de Fujian Jingxu Semiconductor Technology Co., Ltd. ha finalizado por completo y actualmente se están realizando trabajos de decoración interna con el objetivo de alcanzar las condiciones de simulación del equipo antes de fin de año. Este proyecto consiste en la producción de chips de filtro de alta frecuencia basados ​​en el nuevo material de película piezoeléctrica de óxido de galio. La construcción comenzará en diciembre de 2023, con una inversión total de 1.680 millones de yuanes y una superficie de 136 acres. Una vez completado el proyecto, se convertirá en la primera línea de producción de chips de filtro de alta frecuencia semiconductores de banda prohibida ultra ancha del mundo, con una producción anual estimada de 400kk y un valor de producción de aproximadamente mil millones de yuanes. Esto llenará un vacío en el campo nacional de nuevos materiales para películas piezoeléctricas de óxido de galio y tendrá un impacto importante en el desarrollo de la industria de nuevos materiales en el condado de Shanghang.