La seconda fase del progetto Fujian Jingxu Semiconductor Technology è stata completamente completata e si prevede che le condizioni di simulazione delle apparecchiature saranno disponibili entro la fine dell'anno

La seconda fase del progetto di Fujian Jingxu Semiconductor Technology Co., Ltd. è stata completamente completata e sono attualmente in corso i lavori di decorazione interna. L'obiettivo è raggiungere le condizioni di simulazione delle apparecchiature entro la fine dell'anno. Questo progetto riguarda la produzione di chip filtranti ad alta frequenza basati sul nuovo materiale della pellicola piezoelettrica all'ossido di gallio. La costruzione inizierà nel dicembre 2023, con un investimento totale di 1,68 miliardi di yuan e un'area di 136 acri. Una volta completato il progetto, diventerà la prima linea di produzione di chip filtro ad alta frequenza per semiconduttori con bandgap ultra ampio, con una produzione annua stimata di 400kk e un valore di produzione di circa 1 miliardo di yuan. Ciò colmerà una lacuna nel campo nazionale dei nuovi materiali per le pellicole piezoelettriche all’ossido di gallio e avrà un impatto importante sullo sviluppo dell’industria dei nuovi materiali nella contea di Shanghang.