Déi zweet Phas vum Fujian Jingxu Semiconductor Technology Projet ass komplett ofgeschloss a gëtt erwaart Ausrüstungssimulatiounsbedéngungen bis Enn vum Joer ze hunn

Déi zweet Phas vum Projet vu Fujian Jingxu Semiconductor Technology Co., Ltd. Dëse Projet handelt iwwer d'Produktioun vun Héichfrequenzfilterchips baséiert op dem neie Material vu Galliumoxid piezoelektresche Film De Bau fänkt am Dezember 2023 un, mat enger Gesamtinvestitioun vun 1,68 Milliarden Yuan an engem Gebitt vun 136 Hektar. Nodeems de Projet ofgeschloss ass, wäert et déi éischt ultra-breet Bandgap Hallefleitung High-Frequenz Filter Chip Produktiounslinn op der Welt ginn, mat engem geschätzte jährlechen Output vu 400kk an engem Outputwäert vun ongeféier 1 Milliard Yuan. Dëst wäert e Lück am Hausberäich vun neie Materialien fir Galliumoxid piezoelektresch Filmer fëllen an e wichtegen Impakt op d'Entwécklung vun der neier Materialindustrie am Shanghang County hunn.