Η δεύτερη φάση του έργου Fujian Jingxu Semiconductor Technology έχει ολοκληρωθεί και αναμένεται να έχει συνθήκες προσομοίωσης εξοπλισμού μέχρι το τέλος του έτους

Η δεύτερη φάση του έργου της Fujian Jingxu Semiconductor Technology Co., Ltd. έχει ολοκληρωθεί και οι εργασίες εσωτερικής διακόσμησης βρίσκονται σε εξέλιξη. Ο στόχος είναι να επιτευχθούν οι συνθήκες προσομοίωσης εξοπλισμού πριν από το τέλος του έτους. Αυτό το έργο αφορά την παραγωγή τσιπ φίλτρων υψηλής συχνότητας με βάση το νέο υλικό πιεζοηλεκτρικής μεμβράνης οξειδίου του γαλλίου Η κατασκευή θα ξεκινήσει τον Δεκέμβριο του 2023, με συνολική επένδυση 1,68 δισεκατομμυρίων γιουάν και έκταση 136 στρεμμάτων. Μετά την ολοκλήρωση του έργου, θα γίνει η πρώτη στον κόσμο η πρώτη γραμμή παραγωγής τσιπ φίλτρου φίλτρου υψηλής συχνότητας με εξαιρετικά ευρεία ζώνη ζώνης, με εκτιμώμενη ετήσια παραγωγή 400kk και αξία παραγωγής περίπου 1 δισεκατομμύριο γιουάν. Αυτό θα καλύψει ένα κενό στον εγχώριο τομέα νέων υλικών για πιεζοηλεκτρικές μεμβράνες οξειδίου του γαλλίου και θα έχει σημαντικό αντίκτυπο στην ανάπτυξη της βιομηχανίας νέων υλικών στην κομητεία Σαγκάνγκ.