Вторая фаза проекта Fujian Jingxu Semiconductor Technology полностью завершена, и ожидается, что к концу года будут созданы условия для моделирования оборудования.

Второй этап проекта Fujian Jingxu Semiconductor Technology Co., Ltd. полностью завершен, и в настоящее время ведутся внутренние отделочные работы. Цель состоит в том, чтобы достичь условий моделирования оборудования до конца года. Этот проект касается производства чипов высокочастотных фильтров на основе нового материала — пьезоэлектрической пленки из оксида галлия. Строительство начнется в декабре 2023 года, общий объем инвестиций составит 1,68 миллиарда юаней, а площадь — 136 акров. После завершения проекта она станет первой в мире линией по производству полупроводниковых микросхем высокочастотных фильтров со сверхширокозонной зоной с расчетной годовой производительностью 400 тыс. КК и общей стоимостью около 1 миллиарда юаней. Это заполнит пробел в отечественной области новых материалов для пьезоэлектрических пленок из оксида галлия и окажет важное влияние на развитие индустрии новых материалов в округе Шанхан.