Втората фаза на проекта Fujian Jingxu Semiconductor Technology е напълно ограничена и се очаква да има условия за симулация на оборудване до края на годината

Втората фаза на проекта на Fujian Jingxu Semiconductor Technology Co., Ltd. е напълно ограничена и в момента се извършва вътрешна декорация, целта е да се постигнат условия за симулация на оборудване преди края на годината. Този проект е за производството на високочестотни филтърни чипове, базирани на новия материал от пиезоелектричен филм от галиев оксид. Строителството ще започне през декември 2023 г. с обща инвестиция от 1,68 милиарда юана и площ от 136 акра. След като проектът бъде завършен, той ще се превърне в първата в света линия за производство на полупроводникови високочестотни филтърни чипове с ултраширока лента, с очаквана годишна продукция от 400kk и изходна стойност от приблизително 1 милиард юана. Това ще запълни празнината в местното поле на нови материали за пиезоелектрични филми от галиев оксид и ще има важно въздействие върху развитието на индустрията за нови материали в окръг Shanghang.