Druhá fáze projektu Fujian Jingxu Semiconductor Technology byla plně uzavřena a očekává se, že do konce roku bude mít podmínky pro simulaci zařízení.

Druhá fáze projektu společnosti Fujian Jingxu Semiconductor Technology Co., Ltd. byla plně uzavřena a v současné době probíhají práce na vnitřní dekoraci. Cílem je dosáhnout podmínek pro simulaci zařízení do konce roku. Tento projekt se týká výroby vysokofrekvenčních filtračních čipů založených na novém materiálu piezoelektrického filmu z oxidu galia Stavba bude zahájena v prosinci 2023 s celkovou investicí 1,68 miliardy juanů a plochou 136 akrů. Po dokončení projektu se stane první světovou výrobní linkou na výrobu polovodičových vysokofrekvenčních filtračních čipů s ultra širokým pásmovým odstupem s odhadovanou roční produkcí 400 kk a výstupní hodnotou přibližně 1 miliardu juanů. To vyplní mezeru na domácím poli nových materiálů pro piezoelektrické filmy z oxidu galia a bude mít důležitý dopad na rozvoj průmyslu nových materiálů v okrese Shanghang.