Друга фаза проекту Fujian Jingxu Semiconductor Technology була повністю завершена, і очікується, що до кінця року будуть створені умови моделювання обладнання

Друга фаза проекту Fujian Jingxu Semiconductor Technology Co., Ltd. була повністю завершена, і наразі тривають роботи з внутрішнього оздоблення. Мета полягає в тому, щоб досягти умов моделювання обладнання до кінця року. Цей проект стосується виробництва чіпів високочастотного фільтра на основі нового матеріалу п’єзоелектричної плівки з оксиду галію. Будівництво почнеться в грудні 2023 року, загальний обсяг інвестицій складе 1,68 мільярда юанів і площею 136 акрів. Після завершення проекту це стане першою в світі лінією виробництва напівпровідникових високочастотних фільтрів із ультраширокою забороненою зоною з орієнтовною річною продуктивністю 400 тисяч кілограмів і вихідною вартістю приблизно 1 мільярд юанів. Це заповнить прогалину у внутрішньому полі нових матеріалів для п’єзоелектричних плівок оксиду галію та матиме важливий вплив на розвиток промисловості нових матеріалів в окрузі Шанхан.