Antrasis „Fujian Jingxu Semiconductor Technology“ projekto etapas buvo visiškai užbaigtas ir tikimasi, kad iki metų pabaigos jis turės įrangos modeliavimo sąlygas.

Antrasis „Fujian Jingxu Semiconductor Technology Co., Ltd.“ projekto etapas yra visiškai užbaigtas ir šiuo metu vyksta vidaus apdailos darbai. Tikslas yra pasiekti įrangos modeliavimo sąlygas iki metų pabaigos. Šis projektas yra apie aukšto dažnio filtrų lustų, pagrįstų nauja galio oksido pjezoelektrinės plėvelės, gamybą. Pasibaigus projektui, ji taps pirmąja pasaulyje itin plataus dažnio juostos puslaidininkių aukšto dažnio filtrų lustų gamybos linija, kurios metinė produkcija sieks 400 kk, o produkcijos vertė – maždaug 1 milijardas juanių. Tai užpildys spragą vietinėje naujų medžiagų, skirtų galio oksido pjezoelektrinėms plėvelėms, srityje ir turės didelę įtaką naujų medžiagų pramonės plėtrai Šanhango apskrityje.