Druga faza projekta Fujian Jingxu Semiconductor Technology u potpunosti je ograničena i očekuje se da će imati uvjete za simulaciju opreme do kraja godine

Druga faza projekta tvrtke Fujian Jingxu Semiconductor Technology Co., Ltd. u potpunosti je ograničena i trenutačno su u tijeku radovi na unutarnjem uređenju, a cilj je postići uvjete simulacije opreme prije kraja godine. Ovaj projekt se bavi proizvodnjom visokofrekventnih filtarskih čipova temeljenih na novom materijalu piezoelektričnog filma galijevog oksida. Izgradnja će započeti u prosincu 2023., s ukupnom investicijom od 1,68 milijardi juana i površinom od 136 hektara. Nakon dovršetka projekta, to će postati prva svjetska proizvodna linija poluvodičkih visokofrekventnih filtarskih čipova s ​​ultraširokim pojasnim razmakom, s procijenjenom godišnjom proizvodnjom od 400kk i izlaznom vrijednošću od približno 1 milijarde juana. Ovo će popuniti prazninu u domaćem polju novih materijala za piezoelektrične filmove galij oksida i imati važan utjecaj na razvoj industrije novih materijala u okrugu Shanghang.