Fujian Jingxu pooljuhttehnoloogia projekti teine ​​etapp on täielikult lõpetatud ja eeldatavasti saavutatakse seadmete simulatsioonitingimused aasta lõpuks

Fujian Jingxu Semiconductor Technology Co., Ltd. projekti teine ​​etapp on täielikult lõpetatud ja praegu käivad siseviimistlustööd Eesmärk on jõuda seadmete simulatsioonitingimusteni enne aasta lõppu. See projekt käsitleb kõrgsagedusfiltri kiipide tootmist, mis põhinevad uuel galliumoksiidi piesoelektrilisel kilematerjalil. Ehitus algab 2023. aasta detsembris, koguinvesteering on 1,68 miljardit jüaani ja pindala on 136 aakrit. Pärast projekti lõpuleviimist saab sellest maailma esimene ülilaia ribalaiusega pooljuhtide kõrgsagedusfiltrikiibi tootmisliin, mille hinnanguline aastane toodang on 400 kk ja väljundväärtus ligikaudu 1 miljard jüaani. See täidab lünga galliumoksiidi piesoelektriliste kilede uute materjalide kodumaises valdkonnas ja avaldab olulist mõju Shanghangi maakonna uue materjalitööstuse arengule.