Fujian Jingxu Semiconductor Technology ပရောဂျက်၏ ဒုတိယအဆင့်ကို အပြည့်အဝ ကန့်သတ်ထားပြီး ယခုနှစ်ကုန်တွင် စက်ကိရိယာ သရုပ်ဖော်မှု အခြေအနေများ ရှိလာမည်ဟု မျှော်လင့်ရသည်။

Fujian Jingxu Semiconductor Technology Co., Ltd. ၏ ပရောဂျက်၏ ဒုတိယအဆင့်ကို အပြည့်အဝ ကန့်သတ်ထားပြီး အတွင်းပိုင်းအလှဆင်ခြင်းလုပ်ငန်းကို ယခုနှစ်မကုန်မီတွင် ကိရိယာတန်ဆာပလာဆိုင်ရာ အခြေအနေများကို ရောက်ရှိရန်ဖြစ်သည်။ ဤပရောဂျက်သည် gallium oxide piezoelectric film ၏ ပစ္စည်းအသစ်ကို အခြေခံ၍ ကြိမ်နှုန်းမြင့် filter ချစ်ပ်များ ထုတ်လုပ်ခြင်းဖြစ်ပြီး စုစုပေါင်း ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှု ယွမ် 1.68 ဘီလီယံ နှင့် ဧရိယာ 136 ဧကဖြင့် တည်ဆောက်ခြင်း ဖြစ်သည်။ ပရောဂျက်ပြီးပါက၊ ၎င်းသည် ခန့်မှန်းခြေ နှစ်စဉ်ထွက်ရှိမှု 400kk နှင့် ခန့်မှန်းခြေ ယွမ် ၁ ဘီလီယံခန့် ထွက်ရှိသည့် ကြိမ်နှုန်းမြင့် filter chip ထုတ်လုပ်မှုသည် ကမ္ဘာ့ပထမဆုံး ultra-wide bandgap semiconductor ဖြစ်လာမည်ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် ဂယ်လီယမ်အောက်ဆိုဒ် ပီဇိုလျှပ်စစ်ရုပ်ရှင်များအတွက် အိမ်တွင်းပစ္စည်းအသစ်များ၏ ကွက်လပ်ကို ဖြည့်ဆည်းပေးမည်ဖြစ်ပြီး Shanghang ကောင်တီရှိ ပစ္စည်းစက်မှုလုပ်ငန်းအသစ်၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအပေါ် အရေးပါသော အကျိုးသက်ရောက်မှုရှိစေမည်ဖြစ်သည်။