Tiankes tredje generation af halvleder-siliciumcarbidmaterialeproduktionsbase blev åbnet med en samlet investering på 3,27 milliarder yuan.

Tiankes tredje generation af halvledersiliciumcarbidmaterialeproduktionsbase er blevet åbnet i Bao'an-distriktet med en samlet investering på 3,27 milliarder yuan. Basen vil fokusere på udlægning af 6-tommer siliciumcarbid enkeltkrystalsubstrater og epitaksiale produktionslinjer. Det forventes, at substratet og epitaksialproduktionskapaciteten vil nå 250.000 stykker i år.