La base di produzione di materiali in carburo di silicio per semiconduttori di terza generazione di Tianke è stata aperta con un investimento totale di 3,27 miliardi di yuan.

La base di produzione di materiali in carburo di silicio per semiconduttori di terza generazione di Tianke è stata aperta nel distretto di Bao'an, con un investimento totale di 3,27 miliardi di yuan. La base si concentrerà sulla disposizione di substrati monocristallini in carburo di silicio da 6 pollici e di linee di produzione epitassiali. Si prevede che la capacità di produzione di substrati ed epitassiali raggiungerà i 250.000 pezzi quest'anno.