Tianke d'drëtt-Generatioun semiconductor Silicon Carbide Material Produktioun Basis gouf mat engem Total Investitioun vun 3,27 Milliarden Yuan opgemaach.
Jo
Si
Pro
Si
Jo
Zoll
Yuan
Substrat
Basis
Substrat
Silicon Carbide
Joer
semiconductor
Produktioun
Produktioun
2024-12-23 20:10
52
Tianke d'drëtt-Generatioun semiconductor Silicon Carbide Material Produktioun Basis gouf am Bao'an Distrikter opgemaach, mat engem Total Investitioun vun 3,27 Milliarden Yuan. D'Basis konzentréiert sech op d'Ausleeë vun 6-Zoll Siliziumkarbid Eenkristallsubstrater an Epitaxialproduktiounslinnen Et gëtt erwaart datt d'Substrat an d'Epitaxialproduktiounskapazitéit dëst Joer 250.000 Stécker erreechen.
