Tiankes tredje generasjons produksjonsbase for halvledersilisiumkarbidmaterialer ble åpnet med en total investering på 3,27 milliarder yuan.

Tiankes tredje generasjons produksjonsbase for halvledersilisiumkarbidmaterialer er åpnet i Bao'an-distriktet, med en total investering på 3,27 milliarder yuan. Basen vil fokusere på å legge ut 6-tommers enkeltkrystallsubstrater av silisiumkarbid og epitaksiale produksjonslinjer. Det forventes at substratet og epitaksial produksjonskapasitet vil nå 250 000 stykker i år.