Tiankejeva proizvodna baza polprevodniškega materiala iz silicijevega karbida tretje generacije je bila odprta s skupno naložbo v višini 3,27 milijarde juanov.

52
Tiankejeva proizvodna baza polprevodniškega materiala iz silicijevega karbida tretje generacije je bila odprta v okrožju Bao'an s skupno naložbo v višini 3,27 milijarde juanov. Osnova se bo osredotočila na postavitev 6-palčnih monokristalnih substratov iz silicijevega karbida in epitaksialnih proizvodnih linij. Pričakuje se, da bo zmogljivost substratov in epitaksialnih proizvodov letos dosegla 250.000 kosov.