Компанія Tianke відкрила виробничу базу третього покоління напівпровідникових матеріалів з карбіду кремнію із загальним обсягом інвестицій у 3,27 мільярда юанів.

Базу Tianke з виробництва напівпровідникових матеріалів із карбіду кремнію третього покоління було відкрито в районі Баоань із загальним обсягом інвестицій у 3,27 мільярда юанів. База буде зосереджена на розробці 6-дюймових монокристалічних підкладок із карбіду кремнію та епітаксіальних виробничих ліній. Очікується, що цього року потужність виробництва підкладок та епітаксійних виробів досягне 250 000 штук.