Buvo atidaryta „Tianke“ trečios kartos puslaidininkinių silicio karbido medžiagų gamybos bazė, iš viso investavus 3,27 mlrd. juanių.

„Tianke“ trečios kartos puslaidininkinių silicio karbido medžiagų gamybos bazė atidaryta Bao'ano rajone, į kurią investuota 3,27 mlrd. juanių. Pagrindinis dėmesys bus skiriamas 6 colių silicio karbido monokristalinių substratų ir epitaksinių gamybos linijų išdėstymui. Tikimasi, kad šiais metais substrato ir epitaksių gamybos pajėgumai pasieks 250 000 vienetų.