Ang third-generation semiconductor silicon carbide material production base ng Tianke ay binuksan na may kabuuang pamumuhunan na 3.27 bilyong yuan.

Ang third-generation semiconductor silicon carbide material production base ng Tianke ay binuksan sa Bao'an District, na may kabuuang puhunan na 3.27 billion yuan. Ang base ay tututuon sa paglalatag ng 6-pulgadang silicon carbide na solong kristal na mga substrate at epitaxial production lines Inaasahan na ang substrate at epitaxial production capacity ay aabot sa 250,000 piraso sa taong ito.