Tianke tercera generación base de producción material carburo de silicio semiconductor oipe'a hokê inversión total 3.270 millones de yuanes.

Tianke tercera generación base de producción material carburo de silicio semiconductor ojeabri Distrito Bao'an, orekóva inversión total 3.270 millones de yuanes. Ko base oñecentráta omohenda haguã sustrato de único cristal carburo de silicio 6 pulgadas ha línea de producción epitaxial Oñeha'ãrõ sustrato ha capacidad de producción epitaxial oguahëva 250.000 pieza ko arýpe.