英飞凌发布新型CoolSiC™ MOSFET 2000V

英飞凌科技推出新型CoolSiC™ MOSFET 2000V，采用TO-247PLUS-4-HCC封装，支持更高功率密度。适用于太阳能、储能系统和电动汽车充电应用。具备低开关损耗、高直流母线电压和坚固的体二极管，2000V二极管产品组合即将推出。