Темпи глобального перемикання 8-дюймових пластин з карбіду кремнію прискорюються
великі клієнти
6 дюймів
8 дюймів
MOSFET
SiC MOS
SiC MOSFET
пров
дюйм
виробництво
порядок
напівпровідник
SiC
2024-12-23 20:15
101
Міжнародний розмір карбідної пластини змінюється з 6 дюймів до 8 дюймів. Основні зарубіжні виробники силових напівпровідників поставили на порядок денний масове виробництво 8-дюймових пристроїв. Наприклад, компанія Wolfspeed почала масові поставки SiC MOSFET кінцевим клієнтам.
