გლობალური სილიციუმის კარბიდის 8 დიუმიანი ვაფლის გადართვის ტემპი აჩქარებს
Qt ჯგუფი
ალიბაბა
ჩანგან იდა
6 ინჩი
მაგ
ეს
და
MOSFET
SiC MOS
SiC MOSFET
ი
იი
ინჩი
წარმოება
მიწოდება
ვაფლი
გლობალური
ელექტრო
მიწოდება
SiC
მიწოდება
ინჩი
ეს
წარმოება
მდე
წარმოება
2024-12-23 20:16
101
გლობალური სილიციუმის კარბიდის ვაფლის ზომა გადადის 6 ინჩიდან 8 ინჩამდე. ელექტროენერგიის ნახევარგამტარების ძირითადი მწარმოებლები დღის წესრიგში აყენებენ 8 დიუმიან მასობრივ წარმოებას, მაგალითად, Wolfspeed-მა დაიწყო SiC MOSFET-ების ნაყარი მიწოდება ჩინელ საბოლოო კლიენტებზე.
