Prvý projekt výrobnej základne Lingang Shanghai Tianyue Semiconductor Materials Co., Ltd. úspešne prešiel akceptačnou kontrolou

V máji 2024 bol úspešne dokončený prvý projekt výrobnej základne Shanghai Tianyue Semiconductor Materials Co., Ltd. so sídlom v Shanghai Lingang Heavy Equipment Industrial Zone. Od svojho založenia v júni 2020, po niekoľkých rokoch výstavby a úprav, bude kolaudácia konečne dokončená v druhom štvrťroku 2024. Základňa bola zaregistrovaná v druhom štvrťroku 2021 a plánuje investovať celkovo 2,5 miliardy juanov na vybudovanie linky na výrobu doštičiek SiC s navrhovanou ročnou výrobnou kapacitou 600 000 kusov. Projekt prešiel veľkými úpravami v roku 2023. Hoci výška investície a plánovanie produktov zostávajú nezmenené, celková výrobná kapacita sa vďaka technologickým aktualizáciám zvýšila. Projekt vstúpi do fázy uvedenia do prevádzky a skúšobnej výroby v polovici roka 2023 a bude dokončená v druhom štvrťroku 2024. Podľa oznámenia spoločnosti dosiahla výrobná kapacita šanghajskej základne v máji 2023 300 000 kusov a bude sa postupne zvyšovať. Ako hlavná výrobná základňa pre 6-palcový vodivý SiC základňa dosiahla svoje stanovené ciele a zároveň položila pevný základ pre budúci rozvoj spoločnosti. Zároveň pokročilé 8-palcové produkty z karbidu kremíka od Tianyue dosiahli masový predaj.