Anhui Microchip Yangtze Semiconductor Materials Co., Ltd. ປະສົບຜົນສໍາເລັດໃນການພັດທະນາ silicon carbide ຂະຫນາດ 8 ນິ້ວ ingot crystal ດຽວ.

Anhui Microchip Yangtze Semiconductor Materials Co., Ltd. ປະກາດວ່າໄດ້ປະສົບຜົນສໍາເລັດໃນການພັດທະນາ 8-inch silicon carbide crystal ingot ດຽວໃນໄຕມາດທໍາອິດຂອງປີ 2024. ຜລຶກມີຄຸນນະພາບດີເລີດ, ດ້ານກ້ຽງແລະບໍ່ມີຂໍ້ບົກພ່ອງ, ຄວາມຫນາຂອງ 18mm, ການແຜ່ກະຈາຍ dislocation ເປັນເອກະພາບ, ແລະບໍ່ມີການລວບລວມແລະຄວາມກົດດັນ slip ເມັດພືດ.