英飞凌采用1200V SiC M1H芯片的62mm半桥模块

英飞凌新款1200V SiC M1H芯片的62mm半桥模块已推出，最大规格为1mΩ。该模块采用M1H芯片技术，改善了VGS(th)、RDS(on)漂移和栅极驱动电压窗口的性能。此外，还提供了预涂导热界面材料（TIM）版本。此模块适用于电动汽车充电、光伏逆变器和UPS等领域。