サムスン電子、第9世代V-NANDフラッシュメモリ量産へ

関係者によると、サムスン電子は今月下旬に第9世代V-NANDフラッシュメモリの量産を開始する予定で、フラッシュメモリの積層数は290層に達するという。高性能かつ大規模なストレージデバイスの需要が高まる中、サムスン電子も来年には430層NANDチップを発売する予定だ。