Samsung Electronics produzirá em massa memória flash V-NAND de 9ª geração

Segundo fontes, a Samsung Electronics deverá iniciar a produção em massa da memória flash V-NAND de 9ª geração ainda este mês, e o número de camadas empilhadas da memória flash chegará a 290. À medida que cresce a demanda por dispositivos de armazenamento de alto desempenho e grande escala, a Samsung Electronics também planeja lançar chips NAND de 430 camadas no próximo ano.