Самсунг Елецтроницс ће масовно производити В-НАНД флеш меморију 9. генерације

Према изворима, очекује се да ће Самсунг Елецтроницс почети масовну производњу 9. генерације В-НАНД флеш меморије касније овог месеца, а број наслаганих слојева флеш меморије достићи ће 290. Како потражња за уређајима за складиштење високих перформанси и великих размера расте, Самсунг Елецтроницс такође планира да следеће године лансира 430-слојне НАНД чипове.