Samsung Electronics نسل نهم حافظه فلش V-NAND را به تولید انبوه می رساند

70
به گفته منابع، انتظار میرود سامسونگ الکترونیکس تولید انبوه نسل نهم فلش مموری V-NAND را اواخر ماه جاری آغاز کند و تعداد لایههای پشتهای فلش مموری به ۲۹۰ لایه برسد. با افزایش تقاضا برای دستگاه های ذخیره سازی با کارایی بالا و مقیاس بزرگ، سامسونگ الکترونیکس همچنین قصد دارد سال آینده تراشه های 430 لایه NAND را عرضه کند.