Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd нь 2 инчийн (010) галлийн оксидын нэг талст субстратын бие даасан масс үйлдвэрлэлд хүрсэн.

2024 оны 4-р сард Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd нь 2 инчийн (010) галлийн оксидын нэг талст субстратыг бие даан бөөнөөр үйлдвэрлэж, олон улсын монополь байдлыг эвдэж байгаагаа зарлав. Энэхүү амжилт нь манай улсын галлийн ислийн үйлдвэрлэлийг улам хөгжүүлж, холбогдох салбарт манай улсын өрсөлдөх чадварыг дээшлүүлнэ.