Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd., 2 inç (010) galyum oksit tek kristal substratların bağımsız seri üretimini gerçekleştirdi

2024-12-24 15:30
 30
Nisan 2024'te Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd., uluslararası tekeli kırarak 2 inç (010) galyum oksit tek kristal substratların bağımsız seri üretimini duyurdu. Bu başarı, ülkemin galyum oksit endüstrisinin gelişmesine daha da katkıda bulunacak ve ülkemin ilgili alanlardaki rekabet gücünü artıracaktır.