Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. သည် 2 လက်မ (010) gallium oxide single crystal substrate များကို လွတ်လပ်စွာ အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှုကို ရရှိသည် ။

2024-12-24 15:30
 30
2024 ခုနှစ် ဧပြီလတွင် Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. သည် နိုင်ငံတကာ လက်ဝါးကြီးအုပ်မှုကို ချိုးဖျက်ပြီး 2 လက်မ (010) gallium oxide single crystal substrate များကို လွတ်လပ်စွာ အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှုကို ကြေညာခဲ့သည်။ ဤအောင်မြင်မှုသည် ကျွန်ုပ်နိုင်ငံ၏ ဂယ်လီယမ်အောက်ဆိုဒ်စက်မှုလုပ်ငန်း ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးနှင့် ဆက်စပ်နယ်ပယ်များတွင် ကျွန်ုပ်နိုင်ငံ၏ ယှဉ်ပြိုင်နိုင်စွမ်းကို တိုးတက်စေမည်ဖြစ်သည်။