Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. mencapai produksi massal independen substrat kristal tunggal galium oksida berukuran 2 inci (010)

Pada bulan April 2024, Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. mengumumkan produksi massal independen substrat kristal tunggal galium oksida berukuran 2 inci (010), sehingga mematahkan monopoli internasional. Pencapaian ini akan semakin mendorong perkembangan industri galium oksida negara saya dan meningkatkan daya saing negara saya di bidang terkait.