Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. mencapai pengeluaran besar-besaran bebas bagi substrat kristal tunggal galium oksida 2 inci (010)

Pada April 2024, Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. mengumumkan pengeluaran besar-besaran bebas bagi substrat kristal tunggal galium oksida 2 inci (010), memecahkan monopoli antarabangsa. Pencapaian ini akan menggalakkan lagi pembangunan industri galium oksida negara saya dan meningkatkan daya saing negara saya dalam bidang berkaitan.