Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. به تولید انبوه مستقل زیرلایه های تک کریستالی اکسید گالیوم 2 اینچی (010) دست می یابد.
سهام شتر
اپتوالکترونیک کریستال
2024
این
و
نه
زیر
نه
بخش
اکسید گالیوم
اکسید
اینچ
کر
تولید انبوه
رم
Co., Ltd.
تک کریستال
زمین
زمین
قاب
نه
قاب
توسعه
او
اینچی
صنعت
این
تولید
به
تولید
2024-12-24 15:30
30
در آوریل 2024، Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. تولید انبوه مستقل زیرلایه های تک کریستالی اکسید گالیوم 2 اینچی (010) را اعلام کرد و انحصار بین المللی را شکست. این دستاورد توسعه صنعت اکسید گالیوم کشورم را بیشتر ارتقا می دهد و رقابت کشورم را در زمینه های مرتبط بهبود می بخشد.
