Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. აღწევს 2 დიუმიანი (010) გალიუმის ოქსიდის ერთკრისტალური სუბსტრატების დამოუკიდებელ მასობრივ წარმოებას

2024 წლის აპრილში, Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd.-მ გამოაცხადა 2 დიუმიანი (010) გალიუმის ოქსიდის ერთკრისტალური სუბსტრატების დამოუკიდებელი მასობრივი წარმოება, რითაც დაარღვია საერთაშორისო მონოპოლია. ეს მიღწევა ხელს შეუწყობს ჩემი ქვეყნის გალიუმის ოქსიდის ინდუსტრიის განვითარებას და გააუმჯობესებს ჩემი ქვეყნის კონკურენტუნარიანობას შესაბამის სფეროებში.