Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. tekee yhteistyötä yliopistojen kanssa kehittääkseen 6 tuuman galliumoksidiyksikidealustaa

Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. teki yhteistyötä Zhejiangin yliopiston Advanced Semiconductor Research Institute of Hangzhou International Science and Technology Innovation Centerin ja National Key Laboratory of Silicon and Advanced Semiconductor Materials kanssa kehittääkseen onnistuneesti 6 tuuman tahattomasti seostetun ja johtavan galliumoksidin ( β-Ga2O3) kidealusta. Tämä saavutus hyötyy akateemikko Yang Derenin tiimin riippumattomasta tutkimuksesta, kehityksestä ja innovaatiosta.